提供主片、测试片与陪片等级的硅片，常规及非标尺寸均可按需切割、抛光。
单面或双面抛光的 CZ / FZ 硅片，2 至 12 英寸，厚度、掺杂与晶向均可定制。
带热生长氧化层的硅片及绝缘体上硅（SOI）结构，适用于 MEMS、光子学与功率器件。
通过湿法或干法氧化生长致密、均匀的 SiO₂ 层，厚度从数十纳米到数微米。
绝缘体上硅晶圆，顶层硅、埋氧层与衬底厚度均可选择。
高平整度硼硅玻璃片与熔融石英片，用于光学、封装及微流控领域。
低膨胀系数玻璃晶圆，适用于与硅阳极键合，可抛光至光学级。
高纯非晶 SiO₂，紫外透过率高，热膨胀系数极低。
蓝宝石等单晶衬底，服务于 LED、射频及宽禁带半导体研发。
单晶 Al₂O₃ 衬底，提供 C、A、R、M 面，可选平片或图形化衬底。
