SOI 硅片

绝缘体上硅晶圆，顶层硅、埋氧层与衬底厚度均可选择。

顶层硅与衬底的掺杂、电阻率、晶向以及埋氧层厚度均可分别指定。投产前我们会与您逐层确认结构。

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规格参数

参数	数值
直径	4" / 6" / 8"
顶层硅厚度	0.2 – 200 µm
埋氧层（BOX）	0.1 – 5 µm
衬底厚度	300 – 1000 µm
工艺	键合 / 减薄

应用领域

MEMS 加速度计、陀螺仪及压力传感器
硅光子
高压及抗辐射器件

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