氧化硅片与 SOI 片

带热生长氧化层的硅片及绝缘体上硅（SOI）结构，适用于 MEMS、光子学与功率器件。

热氧化硅片

通过湿法或干法氧化生长致密、均匀的 SiO₂ 层，厚度从数十纳米到数微米。

SOI 硅片

绝缘体上硅晶圆，顶层硅、埋氧层与衬底厚度均可选择。