热氧化硅片
通过湿法或干法氧化生长致密、均匀的 SiO₂ 层，厚度从数十纳米到数微米。
与沉积薄膜相比，热生长氧化层更致密、更洁净。氧化层既可生长在我们提供的硅片上，也可通过合作晶圆厂在客户来料上生长。
规格参数
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 直径 | 2" – 12" |
| 氧化层厚度 | 20 nm – 10 µm |
| 氧化方式 | 湿氧 / 干氧 |
| 厚度均匀性 | 通常在 ±5% 以内 |
| 氧化面 | 单面或双面 |
应用领域
- MEMS 及微流控芯片绝缘层
- 栅氧与场氧研究
- 石墨烯及二维材料转移衬底
通过湿法或干法氧化生长致密、均匀的 SiO₂ 层，厚度从数十纳米到数微米。
与沉积薄膜相比，热生长氧化层更致密、更洁净。氧化层既可生长在我们提供的硅片上，也可通过合作晶圆厂在客户来料上生长。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 直径 | 2" – 12" |
| 氧化层厚度 | 20 nm – 10 µm |
| 氧化方式 | 湿氧 / 干氧 |
| 厚度均匀性 | 通常在 ±5% 以内 |
| 氧化面 | 单面或双面 |