热氧化片还是 SOI？绝缘衬底选型指南

两种结构都会在工艺中引入氧化层，但用途不同。

热氧化硅片的 SiO₂ 生长在硅表面，适用于隔离层、介质研究以及二维材料转移衬底，成本较低、交期较短。

SOI 硅片的氧化层埋在一层很薄的单晶硅器件层之下。埋氧层既是刻蚀停止层，也起电学隔离作用，因此许多 MEMS 与硅光子设计都以 SOI 为标准选择。

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